Tube NTJS3151PT1G de transistor MOSFET à haute tension et bas sur le paquet de la résistance TO-252

Number modèle:NTJS3151PT1G
Point d'origine:Multi-origine
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Électronique de puissance MOSFET NTJS3151PT1G


Le NTJS3151PT1G est un dispositif électronique de puissance MOSFET canal N conçu pour être utilisé dans des circuits de conversion de puissance haut rendement tels que des convertisseurs CC/CC, des commandes de moteur et d'autres applications de gestion de l'alimentation.L'appareil présente une faible résistance l'état passant de 0,38 ohms, une faible capacité de transfert inverse de 0,7 pF et un courant de drain continu maximal de 11,5 A. L'appareil présente également d'excellentes performances thermiques avec une température de jonction maximale de 175 °C et un tension grille-source maximale de 20V.L'appareil est disponible dans le boîtier standard TO-252.


Principales caractéristiques:


• Faible résistance l'état passant : 0,38 ohms
• Faible capacité de transfert inverse : 0,7 pF
• Courant de drain continu maximal : 11,5 A
• Température maximale de jonction : 175 °C
• Tension grille-source maximale : 20 V
• Boîtier TO-252 standard de l'industrie


État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhms 3,3 A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1,2 V 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8,6 nC 4,5 V
Vg (Max)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF 12 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
625mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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Tube NTJS3151PT1G de transistor MOSFET à haute tension et bas sur le paquet de la résistance TO-252

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