Le bas de puissance élevée de tube de transistor MOSFET de SVD5865NLT4G sur la résistance TO-263AB
Number modèle:SVD5865NLT4G
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:999999
Délai de livraison:1-7days
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur:
dans 38 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Cette liste est pour une électronique de puissance de transistor MOSFET de SVD5865NLT4G.
Caractéristiques et caractéristiques :
- Type de transistor MOSFET : N-canal
- Vidangez la tension de source (Vds) : 60V
- Sur-résistance de Drain-source (le RDS) : 0,0065 ohms
- Courant continu de drain (identification) : 58A
- Dissipation de puissance (palladium) : 230W
- La température de jonction maximum (Tj) : 175 degrés de Celsius
- Température de fonctionnement : -55 175 degrés de Celsius
- Montage du type : Bti extérieur
- Paquet/cas : TO-263-3
- Paquet de dispositif de fournisseur : TO-263AB
- Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
- Produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET
- Marque : SVD
Statut de produit | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 16mOhm @ 19A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 29 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1400 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 3.1W (merci), 71W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | DPAK-3 | |
Paquet/cas | ||
Nombre bas de produit |
Pourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
• SKL est un gardien courant et une société commerciale des
composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong
Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et
information d'offre pour notre membre global.
• Des marchandises sont assurées du possible le plus de haute
qualité et sont livrées nos clients partout dans le monde avec la
vitesse et la précision.
Comment acheter le >>>
• Contactez-nous par l'email et avez envoyé le votre s'enquièrent
avec votre destination de transport.
• La causerie en ligne, le commissaire serait répondue DÈS QUE
POSSIBLE.
>>> de service
• L'expédition d'expéditeur l'acheteur mondial, de DHL, de TNT,
d'UPS, de FEDEX etc. n'a pas besoin de s'inquiéter du problème de
expédition
• Nous essayerons de répondre aussi rapidement que possible. Mais
en raison de la différence de fuseau horaire, accordez svp jusqu'
24 heures pour obtenir votre courrier répondu. Les produits ont été
examinés par quelques dispositifs ou logiciel, nous nous assurons
qu'il n'y a aucun problème de qualité.
• Nous sommes commis au service rapide, commode et sûr de
fourniture de transport l'acheteur global.
Le bas de puissance élevée de tube de transistor MOSFET de SVD5865NLT4G sur la résistance TO-263AB
Inquiry Cart
0