Performance de tube du transistor MOSFET FDD6685 haute et commutateurs fiables de charge

L'électronique de puissance du transistor MOSFET FDD6685

Caractéristiques :

• Basse sur-résistance le RDS (dessus)
• Basse charge Qg de porte
• Commutation rapide
• Sans plomb, RoHS conforme
• AEC-Q101 a qualifié

Applications :

• Systèmes de gestion des véhicules moteur de batterie
• Convertisseurs de DC/DC
• Commutateurs de charge
• Inverseurs de puissance
• Contrôle de moteur

Paramètres :

• Tension claque de Drain-source : 200V
• Courant maximum de drain : 33A
• Le RDS (dessus) : 0.042Ω
• Tension de seuil de porte : 1.2V
• Dissipation de puissance maximum : 36W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 175°C

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