Commutateurs électriques à grande vitesse de rendement élevé du tube FDMC4435BZ de transistor MOSFET
Number modèle:FDMC4435BZ
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Détails du produit
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Détails du produit
L'électronique de puissance de transistor MOSFET du semi-conducteur FDMC4435BZ de Fairchild
Caractéristiques :
• Basse Sur-résistance
• Basse capacité d'entrée
• L'énergie simple d'avalanche d'impulsion a évalué
• 100% UIS examiné
• Facilité de la parallélisation
• Commutation rapide
• Finition sans plomb/Rohs conforme
Applications :
• Convertisseurs de DC-DC
• Contrôle de moteur
• Alimentations d'énergie non interruptible
• Des véhicules moteur
• Commutation de rendement élevé
• Gestion de batterie
• Mle, poussée et convertisseurs d'isolement
Caractéristiques :
• Tension de Drain-source (Vdss) : 40V
• Tension de Porte-source (Vgs) : ±20V
• Actuel - drain continu (identification) ( Vgs=10V) : 40A
• Identification de RdsOn (maximum) @, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
• Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : 3700pF @ 25V
• Puissance - maximum : 130W
Statut de produit | Actif | |
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 20mOhm @ 8.5A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 46 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±25V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2045 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.3W (merci), 31W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) | |
Paquet/cas | ||
Nombre bas de produit |
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