Le bas de haute performance du tube FDMC8882 de transistor MOSFET sur des vitesses de commutation rapides de résistance
Number modèle:FDMC8882
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Électronique de puissance MOSFET FDMC8882
Le FDMC8882 est un dispositif MOSFET de puissance hautes performances et polyvalent de Fairchild Semiconductor.Avec une tension de claquage de 60 V, cet appareil est idéal pour une utilisation dans des applications haute tension telles que l'automobile, l'industrie et le médical.Il présente une faible résistance l'état passant de 0,045 Ω, des vitesses de commutation rapides et de faibles capacités.Ce dispositif offre également une faible charge de grille, minimisant ainsi les pertes de commutation.
Caractéristiques:
• Tension de claquage : 60 V
• Résistance l'activation : 0,045 Ω
• Faible charge l'entrée
• Faibles capacités
• Vitesses de commutation rapides
• Haute performance
• Polyvalent
• Idéal pour les applications automobiles, industrielles et
médicales
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14,3 mOhms 10,5 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 945 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,3 W (Ta), 18 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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