FDMS7660AS MOSFET électronique de puissance 30V 82A MOSFET rectifié synchrone
Number modèle:FDMS7660AS
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Détails du produit
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Détails du produit
FDMS7660AS N-Channel 30V 82A MOSFET rectifié synchrone 8-PQFN pour les applications d'électronique de puissance haut rendement
pluie tension source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,4 mOhms 25 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6120 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,5 W (Ta), 83 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
Paquet/caisse |
ON Semiconductor FDMS7660AS MOSFET de puissance canal N, 8-PQFN
Description du produit:
Le FDMS7660AS est un MOSFET de puissance canal N conçu pour fournir un rendement élevé et de faibles pertes de puissance dans les applications de conversion et de commutation de puissance.Cet appareil est proposé dans un boîtier 8-PQFN et présente une tension drain-source maximale de 600 V, un courant de drain maximal de 12 A et une charge de grille maximale de 90 nC.
Caractéristiques:
• MOSFET de puissance canal N
• Tension drain-source maximale : 600 V
• Courant de drain maximal : 12 A
• Charge de porte maximale : 90 nC
• Colis : 8-PQFN
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FDMS7660AS MOSFET électronique de puissance 30V 82A MOSFET rectifié synchrone
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