FDMA908PZ Mosfet d'amélioration de canal N 50V 90A 20mΩ MOSFET à canal N
Number modèle:FDMA908PZ
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Détails du produit
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Détails du produit
Description du produit : Électronique de puissance MOSFET FDMA908PZ
Paramètres:
• Tensions : 8 V - 28 V
• Colis : TO-220
• Courant de drain continu maximum : 8 A
• Dissipation de puissance maximale : 16 W
• RDS (activé) : 0,19 ohm
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C
+150 °C
• Tension de seuil de grille : 1,9 V
• Capacité d'entrée : 680 pF
• Capacité de sortie : 200 pF
• Temps de chute : 61 ns
• Temps de montée : 52 ns
• Tension de claquage drain-source : 28 V
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12,5 mOhms 12 A, 4,5 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC 4,5 V | |
Vg (Max) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3957 pF 6 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.4W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 6 microFET (2x2) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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