IRF6665TRPBF Circuit intégré Mosfet Low-RDS (On) pour une efficacité améliorée
Number modèle:IRF6665TRPBF
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET IRF6665TRPBF
Low-RDS(on) hautes performances pour une efficacité améliorée
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhms 5 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,2 W (Ta), 42 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | DIRECTFET™ SH | |
Paquet/caisse |
Description du produit:
L'IRF6665TRPBF est un MOSFET de puissance d'IRF Technologies.Ce MOSFET canal N est conçu pour gérer jusqu' 55 volts et a une faible résistance l'état passant de 3,2 milliohms.Le courant de drain maximal est de 55 ampères, tandis que la dissipation de puissance maximale est de 740 watts.L'appareil est emballé dans un boîtier TO-220AB.
Paramètres du produit :
- Type : MOSFET canal N
- Tension : 55V
- Résistance l'allumage : 3,2 milliohms
- Courant de drain maximal : 55 ampères
- Dissipation de puissance maximale : 740 watts
- Colis : TO-220AB
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