Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

Number modèle:S34ML04G200BHI000
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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

 

Liste de produit :

 

Cellule multiniveaux NAND Flash Memory de CYPRESS S34ML04G200BHI000 4Gb

 

Caractéristiques :

 

• 4Gb (512 mégohms X 8 bits) NAND Flash Memory
• opération de la tension 3.3V
• Interface de centre serveur de SMBus
• JEDEC NAND Flash Interface standard
• NAND Data Protection robuste
• Vitesse de fonctionnement élevée
• Fiabilité élevée
• Consommation de puissance faible
• Résistance élevée
• Appuis ONFI 2,2 NAND Flash Features
• Les appuis basculent la RDA 1,0 NAND Flash Features
• CCE 8 bits de soutiens
• Appuis Randomizer avec des données brouillant
• Le programme de soutiens/effacement suspendent
• Soutient la lecture/écriture de page partielle
• Soutient le programme de page partielle
• Programme/effacement de Multi-avion de soutiens
• Copie de page de soutiens de retour
• Imbrication de Multi-matrice de soutiens
• Mode de soutiens SLC/MLC/TLC
• Appuis jusqu' l'imbrication 2-Die
• Appuis jusqu' l'imbrication 4-Die
• Appuis jusqu' l'imbrication 8-Die
• Gestion de dispositif de soutiens

 

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Puce de Cypress S34ML04G200BHI000 4Gb NAND Flash Integrated Circuit IC

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