Stockage 128Mbit de S29GL128P11FFI010 IC Chip High Performance Computing Data

Number modèle:S29GL128P11FFI010
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Stockage 128Mbit de S29GL128P11FFI010 IC Chip High Performance Computing Data

 

 

 

Format de mémoire
Technologie
ÉCLAIR - NI
Capacité de la mémoire
Organisation de mémoire
16M x 8
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
110ns
Temps d'accès
110 NS
Tension - approvisionnement
2.7V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Paquet/cas
Paquet de dispositif de fournisseur
64-FBGA (13x11)
Nombre bas de produit

 

 

 

Liste de produit :

 


Description de produit :

 

 

S29GL128P11FFI010 est une mémoire instantanée réservée au volt de bloc de botte de 128Mb (16Mx8) CMOS 3,0.

 

Cypress S29GL128P11FFI010, S29GL01G/512/256/128P sont Mirrorbit® les produits qu'instantanés ont fabriqué sur la technologie transformatrice de 90 nanomètre. Ces dispositifs offrent un temps d'accès rapide de page de 25 NS avec du temps accès sélectif correspondant aussi rapidement que 90 NS. Ils comportent écrivent le tampon qui permet un maximum de 32 octets words/64 d'être programmé dans une opération, ayant pour résultat un temps de programmation efficace plus rapide que des algorithmes de programmation standard. Ceci rend ces dispositifs idéaux pour les applications incluses d'aujourd'hui qui exigent une représentation plus haute densité et meilleure et une consommation de puissance faible.

 


Paramètres :

 

• VCC tension d'alimentation : 2.7V 3.6V
• Temps d'accès en lecture : 55 NS
• Temps de programme : Mme 1,5 (typique)
• Résistance : cycles 100K
• Conservation de données : 20 ans
• Chaîne de température de fonctionnement : -40°C +85°C

 

 

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Stockage 128Mbit de S29GL128P11FFI010 IC Chip High Performance Computing Data

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