Solution non volatile de mémoire de CY15B102Q-SXE IC Chip High Performance Low Power SRAM

Number modèle:CY15B102Q-SXE
Point d'origine:original
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Capacité d'approvisionnement:999999
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Shenzhen China
Adresse: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur: dans 38 heures
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Puce de la CY 15B102Q-SXE IC de solution non-volatile de basse puissance performante de mémoire de CYPRESS SRAM

 

CY15B102Q-SXE, publication périodique de Cypress NI mémoire instantanée

Caractéristiques du produit :
- 8 millions de bits (1 M X 8) mémoires périodiques NI instantanées
- 2.7V la chaîne de tension d'alimentation de 3.6V VCC
- Temps rapide d'accès en lecture : 55/70/85/100/120/140/165/185ns
- -40°C la chaîne de température de fonctionnement de +85°C
- 100 000 cycles de programme/effacement
- conservation des données 20-Year
- Option industrielle de température ambiante disponible
- Interfaces de SPI, de DSPI, de QSPI, et de DPI
- Options d'entrée-sortie de Multi-I/O et de quadruple
- Dispositifs de sécurité avancée

Paquet :
- 8-pin SOIC (150 mils)
- 8-pin VDFN (3.0x3.0mm)
- 8-pin WSON (6.0x5.0mm)


 
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