Mémoirede haute performancede W25Q512JVFIQ 16- puce de mémoire instantanée de SOIC - pour le stockage de données et de programme

Caractéristiques :
- densité de mémoire mordue par 512M
- architecture uniforme du secteur 4KBytes
- L'opération d'entrée-sortie conjuguent/quadruples SPI et de quadruple
- Fréquence de base de haute performance
- Double sortie, double entrée-sortie et entrée-sortie de quadruple
- 1.8V la tension de l'opération 3.6V
- -40°C la gamme de la température de fonctionnement 85°C
- Consommation de puissance faible
- Le maximum écrivent la vitesse de 25 MB/s
- Résistance : 10 000 écrivent/cycles d'effacement

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Format de mémoire	ÉCLAIR
Technologie	ÉCLAIR - NI
Capacité de la mémoire	512Mbit
Organisation de mémoire	64M x 8
Interface de mémoire	SPI - Entrée-sortie de quadruple
Fréquence du signal d'horloge	133 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page	-
Tension - approvisionnement	2.7V \| 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C \| 85°C (VENTRES)
Montage du type	Bti extérieur
Paquet/cas	16-SOIC (0,295", largeur de 7.50mm)
Paquet de dispositif de fournisseur	16-SOIC

Puce de mémoire instantanée de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - mémoire de haute performance pour le stockage de données et de programme

Puce de mémoire instantanée de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - mémoire de haute performance pour le stockage de données et de programme

Puce de mémoire instantanée de W25Q512JVFIQ 16-SOIC - mémoire de haute performance pour le stockage de données et de programme