Fiabilité élevée avancée de mémoire du paquet F-RAM des puces de mémoire instantanée de FM28V020-SG 28-SOIC

Number modèle:FM28V020-SG
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Fiabilité élevée avancée de mémoire du paquet F-RAM des puces de mémoire instantanée de FM28V020-SG 28-SOIC

 

 

 

 

Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Capacité de la mémoire
Organisation de mémoire
32K X 8
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
140ns
Temps d'accès
140 NS
Tension - approvisionnement
2V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Paquet/cas
Paquet de dispositif de fournisseur
28-SOIC

 

 

 

Caractéristiques

 

 

mémoire 256-Kbit accès sélectif ferroélectrique (F-RAM)
logiquement organisé en tant que 32K × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) a indiqué/écrit

❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
la page 8)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Opération de mode page de ❐
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐

 

 

SRAM compatible
Pinout industriellement compatible de SRAM du × 32K 8 de ❐
temps d'accès du ❐ 70 NS, durée de cycle de 140 NS
■Supérieur aux modules soutenus par la batterie de SRAM

❐ aucun soucis de batterie
Le sérieux monolithique de ❐

 


Véritable solution extérieure de bti de ❐, aucune étapes de reprise
Supérieur de ❐ pour l'humidité, le choc, et la vibration
❐ résistant aux attérrissages trop courts négatifs de tension

 

 

 

 

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