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La caractéristique A de paquet des puces de mémoire S29GL128S10TFI010 instantanée 56-TFSOP écrivent le tampon
Type de mémoire | Non-volatile | |
Format de mémoire | ||
Technologie | ÉCLAIR - NI | |
Capacité de la mémoire | ||
Organisation de mémoire | 8M x 16 | |
Interface de mémoire | Parallèle | |
Écrivez la durée de cycle - Word, page | 60ns | |
Temps d'accès | 100 NS | |
Tension - approvisionnement | 2.7V | 3.6V | |
Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) | |
Montage du type | ||
Paquet/cas | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 56-TSOP |
Description générale
Les S29GL01G/512/256/128S sont éclipse de MIRRORBIT™ les produits
qu'instantanés ont fabriquée sur la technologie transformatrice de
65 nanomètre. Ces dispositifs offrent un temps d'accès rapide de
page aussi rapidement que 15 NS avec du temps accès sélectif
correspondant en tant que rapidement en tant que 90 NS. Ils
comportent écrivent le tampon qui permet un maximum de 256 octets
words/512 d'être programmé dans une opération, ayant pour résultat
un temps de programmation efficace plus rapide que des algorithmes
de programmation standard. Ceci rend ces dispositifs idéaux pour
les applications incluses d'aujourd'hui qui exigent une
représentation et inférieur plus haute densité et meilleurs
puissance.
Caractéristiques distinctives
• Noyau de CMOS 3,0 V avec l'entrée-sortie souple
• 65 technologie d'éclipse du nanomètre MIRRORBIT™
• Approvisionnement simple (VCC) pour la
lecture/programme/effacement (2,7 V 3,6 V)
• Caractéristique souple d'entrée-sortie
- Grand choix de tension d'entrée-sortie (es) : 1,65 V VCC
• bus des données ×16
• La page asynchrone de 32 octets a lu
• tampon de programmation de 512 octets
- Programmant dans des multiples de page, jusqu' un maximum de 512
octets
• Mot simple et programme multiple en les mêmes options de mot
• De contrôle d'erreurs automatique et correction (CCE) – CCE
interne de matériel avec de correction d'erreurs bit unique
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