Transistor de puissance de SI4703-C19-GMR rf - rendement élevé compact et représentation fiable

Number modèle:SI4703-C19-GMR
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Transistor de puissance de SI4703-C19-GMR rf

 

Description de produit :

 

Le SI4703-C19-GMR est un transistor de puissance avancé de rf conçu utilisant un processus haute tension de BiCMOS. Ce dispositif convient aux applications de haute puissance, haute efficacité, et faible bruit dans les bandes d' haute fréquence et de VHF. Il comporte une grande largeur de bande, une puissance haute production, et une figure faible bruit. Le SI4703-C19-GMR convient pour l'usage dans un grand choix d'applications de rf comprenant des amplificateurs de rf, amplificateurs de puissance de rf, émetteurs de haute puissance de rf, et plus.

 

Fonctionnalités clé :


- Opération bande large de 0,7 500 mégahertz
- DBm jusqu' 11,5 haute production de puissance
- Chiffre faible bruit du DB 1,7
- VSWR large de 1.5:1
- gain élevé du DB 20
- Rendement élevé jusqu' de 50%
- Efficacité puissance-supplémentaire élevée jusqu' de 33%
- Bas auto-chauffant < 0=""> - de forte stabilité au-dessus de la température et du vieillissement
- RoHS conforme

Paquet :
- 3 millimètres X 3 millimètres

 

 

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