Puissance élevée de transistor de puissance de SI1000-C-GM rf et largeur de bande d'efficacité grande

Transistor de puissance de SI1000-C-GM rf

Caractéristiques :

• gain élevé
• Figure faible bruit
• Puissance de sortie élevée
• Représentation bande large
• Dissipation basse température
• Aucun circuits polarisés externes requis

Caractéristiques :
• Plage de fréquence : 1.8-2.7 gigahertz
• Gain en puissance : minute 12dB
• Puissance de sortie : 25W
• Chiffre de bruit : type 4dB
• Tension d'opération : 25V
• Actuel d'opération : 1A maximum
• Paquet : Bti extérieur, TO-247

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