Transistor de puissance de SI4702-C19-GMR rf - haute performance fiable et durable

Number modèle:SI4702-C19-GMR
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Capacité d'approvisionnement:99999
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Transistors de puissance de SI4702-C19-GMR rf

 

Aperçu de produit :


Le SI4702-C19-GMR est un transistor de puissance de la haute performance rf conçu pour des applications d'amplificateur de puissance de rf dans des applications industrielles et du consommateur. Ce dispositif convient aux applications telles que les stations de base cellulaires, les répétiteurs, et les applications sans fil du consommateur. Il est conçu avec une tension claque élevée de 30V, un courant maximum de drain de 10.5A, et une résistance de sur-état de 0.065Ω.

 

Caractéristiques du produit :


• Tension claque élevée : 30V
• Courant maximum de drain : 10.5A
• résistance de Sur-état : 0.065Ω
• Basse tension d'entraînement de porte : 3V
• Basse capacité d'entrée de porte : 44.3pF
• Gain de puissance élevée : 18dB
• Basse résistance thermique : 0.66°C/W
• RoHS conforme

 

 

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