Transistor de puissance de SI4010-C2-GSR rf - haute performance et solution fiable de puissance

Numéro de modèle:SI4010-C2-GSR
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité d'approvisionnement:99999
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Shenzhen China
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Transistors de puissance de SI4010-C2-GSR rf

 

Description de produit :


Le SI4010-C2-GSR est un transistor de puissance performant de rf spécifiquement conçu pour l'usage en applications de puissance bande étroite et élevée telles que cellulaire, infrastructure PCS, et 3G. Le dispositif est fabriqué utilisant un GaN spécial sur sic le processus qui fournit le rendement élevé, la puissance élevée, et la basse résistance thermique. Le SI4010-C2-GSR est logé dans un paquet hermétiquement scellé, qui fournit l'excellente représentation thermique et électrique.

 

Caractéristiques :


• Puissance de sortie élevée : jusqu' 160W
• Rendement élevé : jusqu' 45%
• Basse résistance thermique : 0.2°C/W
• Consommation de puissance faible : <200ma> • Opération bande étroite : 5MHz 1GHz
• Paquet hermétiquement scellé
• Opération hautes températures : jusqu' +175°C

Applications :
• Station de base cellulaire
• Infrastructure de PCS
• infrastructure 3G
• Systèmes d'émission
• Radios militaires
• Radios des véhicules moteur
• Matériel médical

 

 

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