Transistor de puissance de HMC442LC3BTR rf - grand pour des applications à grande vitesse

Produit : Transistors de puissance de HMC442LC3BTR rf

Description :

Le HMC442LC3BTR est une puissance gain élevé et moyenne GaN sur sic le FET d'hétérojonction qui convient pour l'usage dans un large éventail d'applications comprenant des militaires, aérospatial, et commercial.

Caractéristiques :

- Puissance gain élevé et moyenne GaN sur sic le FET d'hétérojonction
- Onde entretenue de 50 W de puissance de sortie
- gain 10,2 de DB
- Opération de 28 V
- Rendement élevé
- Opération haute fréquence
- Basse déformation
- Linéarités élevées
- faible bruit
- Construction rocailleuse

Paquet : paquet de 2-Pin TO-263

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