Puissance de sortie élevée de N-canal de transistors de puissance d'AD8364ACPZ-REEL7 rf

Liste de produit :

Transistors de puissance d'AD8364ACPZ-REEL7 rf

Description : L'AD8364ACPZ-REEL7 est un transistor de puissance monolithique du circuit intégré micro-ondes de l'arséniure de gallium (GaAs) (MMIC) rf conçu pour l'usage dans applications cellulaires et autres sans fil.

Caractéristiques :

- gain élevé : DB 12,6
- Rendement élevé : 40%
- Bas courant tranquille : 22 mA
- Figure faible bruit : DB 2,8
- Haut P1dB : dBm 30
- Haut IP3 : dBm 45
- Grande plage de fréquence fonctionnante : 4,8 6 gigahertz

Paquet : bobine 7-Pin

Applications :
- Stations de base cellulaires
- Applications de WCDMA/HSDPA/HSPA/LTE/WiMAX
- Systèmes par radio point par point
- Bloquer des systèmes
- Radios militaires

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