Linéarités élevées extérieures de puissance élevée de transistor de bâti de HMC326MS8GETR

Number modèle:HMC326MS8GETR
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Transistor de puissance de HMC326MS8GETR rf - linéarité élevée de puissance élevée

 

HMC326MS8GETR, pHEMT de GaAs, transistor de puissance de rf

 

Description de produit :

 

Le HMC326MS8GETR est un performant, pHEMT de GaAs, transistor de puissance de rf. Il est conçu pour l'usage dans une grande variété d'applications telles que cellulaire et des communications haut débit. Ce dispositif offre l'excellente représentation de rf au-dessus d'un large éventail de fréquences, avec un maximum de puissance de sortie du dBm 18,5 et un gain maximum du DB 16. Le HMC326MS8GETR est également extrêmement linéaire, avec un 3ème point d'interception d'ordre du dBm +40. Ce dispositif est alimenté dans un sans plomb, RoHS conforme, 3 x 3 paquet du millimètre QFN.

 

Caractéristiques :


• dBm 18,5 de puissance de sortie
• gain du DB 16
• 3ème point d'interception d'ordre de +40 dBm
• Plage de fréquence fonctionnante : 0,2 2,0 gigahertz
• Sans plomb, RoHS conforme, 3 x 3 paquet du millimètre QFN

 

 

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Linéarités élevées extérieures de puissance élevée de transistor de bâti de HMC326MS8GETR

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