À gain élevé à faible bruit de haute performance de transistors de puissance de HMC536LP2E rf

gain élevé faible bruit de haute performance de transistor de puissance de HMC536LP2E rf

Transistor de puissance de HMC536LP2E

Description de produit :

Le HMC536LP2E est un amplificateur de puissance du pHEMT MMIC de GaAs qui fonctionne entre le C.C et 6 gigahertz. Cet amplificateur est conçu pour des applications telles que les radios point par point, les radios point--multipoint et le VSATs.

Caractéristiques :

• Gain : DB 14,5
• Puissance de sortie : dBm +28
• P1dB : dBm +26
• Chiffre de bruit : DB 3,2
• Vidangez l'efficacité : 20%
• Tension d'opération : +5V
• Impédance d'entrée-sortie : 50 ohms
• Température de fonctionnement : -40°C +85°C

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