Transistors de puissance cellulaires de HMC199MS8ETR rf pour à gain élevé et l'efficacité

Transistor de puissance de HMC199MS8ETR rf pour gain élevé et l'efficacité

Transistors de puissance de HMC199MS8ETR rf

Description de produit :

Le HMC199MS8ETR est un transistor de puissance basé sur GaN de rf qui emploie la dernière technologie de nitrure de gallium (GaN). Il est conçu pour l'usage dans des applications de puissance élevée jusqu' 2-500MHz, et fournit la représentation et l'efficacité exceptionnelles. Il a un gain de puissance élevée de 28.5dB et un maximum de puissance de sortie de 200W. Le HMC199MS8ETR comporte une conception thermique performante qui permet l'excellente dissipation thermique et permet l'opération aux niveaux de puissance élevée.

Caractéristiques et avantages :

gain en puissance hauteur de 28.5dB
- Puissance de sortie jusqu' 200W
efficacité hauteur et représentation exceptionnelle
- Conception thermique performante
- Dimension compacte et poids léger
de plage de fréquence de la taille de 2-500MHz
- Opération hautes températures

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