Transistor de puissance de haute puissance de HMC544AE 50W GaN-Sur-SIC rf

Number modèle:HMC544AE
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité d'approvisionnement:99999
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Shenzhen China
Adresse: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur: dans 38 heures
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Détails du produit

Transistor de puissance de HMC544AE rf

 

Caractéristiques :


- Puissance haute production : dBm 28 typique
- gain élevé : DB 14 typique
- Figure faible bruit : DB 2 typique
- Excellentes linéarités
- Grande largeur de bande : 600 mégahertz
- RoHS conforme

Paquet : Bti extérieur, 4-Lead SOT-363

 

Applications :


- Cellulaire et PCS
- Stations de la base 2.5G/3G/4G
- WLAN/WiMAX
- Équipement de test
- Communications haut débit
- Applications de High Dynamic Range

 

 

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Transistor de puissance de haute puissance de HMC544AE 50W GaN-Sur-SIC rf

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