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Transistor de puissance de HMC406MS8GETR rf
Caractéristiques du produit :
- Opération large bande de 0,1 6,0 gigahertz
- gain élevé : DB 15,5 0,9 gigahertz
- Puissance haute production : dBm 19,5 0,9 gigahertz
- Figure faible bruit : DB 2,6 0,9 gigahertz
- Efficacité supplémentaire de puissance élevée : 34% 0,9 gigahertz
- IP3 haute production : dBm +27 0,9 gigahertz
- Basse consommation d'alimentation CC : 890 mW 3V
- Fréquence de coupure faible intensité de gain : Fc = 7,3
gigahertz
- De forte stabilité : °C +25 au °C +85
- Sans plomb, paquet conforme de RoHS
Applications :
- Applications d'amplificateur de puissance élevée
- Systèmes de communication large bande
- Infrastructure sans fil
- Liaisons hertziennes point par point
- systèmes du Multi-transporteur GSM/EDGE
- Systèmes de W-CDMA/HSPA/LTE
Pourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément
• SKL est un gardien courant et une société commerciale des
composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong
Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et
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qualité et sont livrées nos clients partout dans le monde avec la
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24 heures pour obtenir votre courrier répondu. Les produits ont été
examinés par quelques dispositifs ou logiciel, nous nous assurons
qu'il n'y a aucun problème de qualité.
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fourniture de transport l'acheteur global.