Rendement élevé de haute performance de transistors de puissance de HMC915LP4ETR rf

Number modèle:HMC915LP4ETR
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité d'approvisionnement:99999
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Détails du produit

Transistor de puissance de HMC915LP4ETR rf - rendement élevé de haute performance

 

Spécifications produit :


- Plage de fréquence : 9-10GHz
- Gain en puissance : DB 13
- De puissance de sortie : dBm 23
- Tension d'alimentation : +5V
- Consommation actuelle : 1.2A
- Température de fonctionnement : -40°C +85°C
- Impédance d'entrée : 50 ohms
- Paquet : 4mm x 4mm QFN

 

Statut de produit
Obsolète
Type de rf
Usage universel
Fréquence
500MHz | 2.7GHz
Nombre de mélangeurs
1
Gain
-
Chiffre de bruit
8.5dB
Attributs secondaires
-
Actuel - approvisionnement
88mA
Tension - approvisionnement
5V
Montage du type
Bti extérieur
Paquet/cas
24-VFQFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur
24-QFN (4x4)
Nombre bas de produit

 

 

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Rendement élevé de haute performance de transistors de puissance de HMC915LP4ETR rf

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