Transistor de la puissance élevée rf d'AD9361BBCZ

Number modèle:AD9361BBCZ
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Transistor de puissance d'AD9361BBCZ rf - fiabilité élevée de puissance élevée

 

L'AD9361BBCZ est un transistor de puissance de haute puissance et haute efficacité du N-canal rf conçu pour l'usage dans la bande de 900 mégahertz ISM. Le dispositif comporte un grand choix de tension de porte et une excellente stabilité thermique. Il est idéal pour des applications telles que des amplificateurs de puissance de rf, des stations de base cellulaires et d'autres applications de communication sans fil.

 

Caractéristiques :

 

• Capacité de puissance élevée : Tacaud = 10 W
• Rendement élevé : jusqu' 60%
• Grand choix de tension de porte : VGS = -3.5V -20V
• Excellente stabilité thermique : R de variation maximum de DS (dessus) de 9% au-dessus de la température
• Basse charge de porte : Qg = 5.5nC
• Basse résistance thermique : Rthj-c = 1.5°C/W
• RoHS conforme
• options sans halogène de paquet

 

 

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