Conducteur à haute tension de transistor MOSFET de haute performance d'IC de puce de semi-conducteur d'IR2127STRPBF

Number modèle:IR21271STRPBF
Point d'origine:Multi-origine
Statut de produit:En stock
configuration de conducteur:côté à haute pression de pression latérale ou basse
Type de la Manche:une manière
nombre de commandes:1
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
dernière connexion fois fournisseur: dans 38 heures
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Détails du produit

Liste de produit :

 

IR2127STRPBF, puce de circuit intégré (IC)

 

Caractéristiques :


• conducteur de 800V, de 3A, de passage zéro, haut et du côté bas
• Circuits internes d'amorce
• Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
• Basse tension de sortie référencée de côté
• Lock-out de sousvoltage pour les deux canaux
• Entrée référence sur station au sol de logique
• TTL compatible
• Au-dessus de la protection de la température
• Protection de court-circuit

Paquet : 8 goupille SOIC

Température de fonctionnement : -40°C +125°C

Température de stockage : -65°C +150°C

Tension d'alimentation : 8V 20V

Actuel : 3A (maximum)

Tension de sortie : 800V (maximum)

Temps de retard de propagation : 200ns

Temps de hausse/chute : 25ns/25ns

 

 

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Conducteur à haute tension de transistor MOSFET de haute performance d'IC de puce de semi-conducteur d'IR2127STRPBF

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