Transistor MOSFET de puissance intégré haut EfficiencyLinear de gestion de puissance de MIC5209-3.3YS par régulateur d'IC PMIC

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Gestion IC de puissance de YS de MIC5209 - 3,3

Transistor MOSFET de puissance intégré haut EfficiencyLinear par régulateur de PMIC

 

 

 

Liste de produit :

 

 

Gestion IC de puissance de MIC5209-3.3YS

 

 

Le MIC5209-3.3YS est un circuit intégré avancé, de basse puissance, rentable de gestion de puissance (PMIC) qui permet la conception de système d'alimentation avec de petite taille et faible bruit. Le dispositif intègre un régulateur du bas-abandon scolaire (LDO), le régulateur de remplissage linéaire, et les régulateurs de tension multiples pour l'usage dans applications piles et autres exigeant le contrôle d'alimentation d'énergie.

 

 

 

Caractéristiques :

• Basse tension d'abandon scolaire : 0,325 V (typiques)
• Bas courant tranquille : μA 50 (typique)
• Courant de sortie : 0,6 A (maximum)
• Deux régulateurs linéaires faible bruit
• Protection thermique d'arrêt
• Gamme de tension d'entrée : 2,5 V 5,5 V
• Gamme de tension de sortie : 0,8 V 3,3 V
• Haut PSRR : DB 70 (typique)
• Rejet élevé d'ondulation : DB 80 (typique)
• Rendement élevé : 90% (typique)

 

 


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