Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3

Transistor bipolaire NPN 450 V 30 A 200 W de BUF420AW (BJT) par le trou TO-247-3

Caractéristiques :

●STMicroelectronics A PRÉFÉRÉ SALESTYPE

●CAPACITÉ HAUTE TENSION

●VITESSE DE CHANGEMENT ÉLEVÉE MÊME

●LOT-TO-LOT MINIMUM A ÉCARTÉ POUR L'OPÉRATION FIABLE

●BASSES CONDITIONS DE BASE-DRIVE

Description :

Le BUF420AW est fabriqué utilisant la technologie planaire épitaxiale multi haute tension pour des vitesses de changement élevées

et capacité haute tension. Elle emploie une structure cellulaire d'émetteur avec l'arrêt planaire de bord pour augmenter la commutation

vitesses tout en maintenant un RBSOA large. La série de BUF est conçue pour l'usage dans les alimentations d'énergie haute fréquence

et applications de contrôle de moteur.

Détail rapide :

Attributs de produit :

Ressources additionnelles :

Image de données : https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/9e/57/be/79/c8/be/4f/da/CD00002853.pdf/files/CD00002853.pdf/jcr:content/translations/en.CD00002853.pdf

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