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N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3
Caractéristiques :
Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | Des véhicules moteur, AEC-Q101, CoolMOS |
Statut de produit | Actif |
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 650 V |
Actuel - ツー 25 C continu du drain (identification) @ | 31.2A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4.5V @ 1.3mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 118 OR @ 10 V |
Vgs (maximum) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3240 PF @ 100 V |
Dissipation de puissance (maximum) | 277.8W (comité technique) |
Température de fonctionnement | -40°C |°C 150 (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO220-3 |
Paquet/cas | TO-220-3 |
Nombre bas de produit | IPP65R110 |
Ressources additionnelles
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
D'autres noms | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
SP000895234 | |
Forfait standard | 50 |
Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
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