Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

Number modèle:BUF420AW
Point d'origine:Les Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum:50 PCS
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement:6K PCS
Délai de livraison:2 ou 3 jours
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N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3

 

Caractéristiques :

CatégorieFETs simples, transistors MOSFET
MfrInfineon Technologies
SérieDes véhicules moteur, AEC-Q101, CoolMOS
Statut de produitActif
Type de FETN-canal
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)650 V
Actuel - ツー 25 C continu du drain (identification) @31.2A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs110mOhm @ 12.7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @4.5V @ 1.3mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs118 OR @ 10 V
Vgs (maximum)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds3240 PF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximum)277.8W (comité technique)
Température de fonctionnement-40°C |°C 150 (TJ)
Montage du typePar le trou
Paquet de dispositif de fournisseurPG-TO220-3
Paquet/casTO-220-3
Nombre bas de produitIPP65R110

Ressources additionnelles

ATTRIBUTDESCRIPTION
D'autres nomsIPP65R110CFDAAKSA1-ND
 448-IPP65R110CFDAAKSA1
 SP000895234
Forfait standard50

 
Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

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