Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C

Number modèle:FDC6321C
Point d'origine:Les Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement:30K PCS
Délai de livraison:2 ou 3 jours
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Rangée 25V 680mA, bti extérieur SuperSOT™-6 de transistor MOSFET de FDC6321C de 460mA 700mW

 

Fiche technique : FDC6321C

CatégorieLe FET, transistor MOSFET range
Mfronsemi
Statut de produitActif
TechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)
ConfigurationN et P-canal
Caractéristique de FETPorte de niveau de logique
Vidangez la tension de source (Vdss)25V
Actuel -°C 25 continu du drain (identification) @680mA, 460mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @µA 1.5V @ 250
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs2.3nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds50pF @ 10V
Puissance - maximum700mW
Température de fonctionnement-55°C |°C 150 (TJ)
Montage du typeBti extérieur
Paquet/casSOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Paquet de dispositif de fournisseurSuperSOT™-6
Nombre bas de produitFDC6321

Ressources additionnelles

ATTRIBUTDESCRIPTION
D'autres nomsFDC6321CTR
 FDC6321CCT
 FDC6321C-ND
 FDC6321CDKR
Forfait standard3000

 

Image de données : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdc6321c-d.pdf

China Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C supplier

Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C

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