SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix Bâti extérieur IC PowerPAK SO-8 de comité technique du comité technique 83W du N-canal 100 V 42A

SQJ488EP-T2_GE3 bti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité technique) du N-canal 100 V 42A (comité technique)

Fiche technique : SQJ488EP-T2_GE3

CARACTÉRISTIQUES • Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET® • AEC-Q101 a qualifié d • 100 % Rg et UIS a examiné • Catégorisation matérielle : pour des définitions de conformité voir svp le http://www.vishay.com/doc?99912

Notes

a. Paquet limité

b. Essai d'impulsion ; μs du  300 de durée d'impulsion,  2 % de coefficient d'utilisation

c. Une fois monté sur 1" carte PCB de place (matériel FR-4)

d. Vérification paramétrique en cours

e. Voir le profil de soudure (www.vishay.com/doc?73257). Le PowerPAK SO-8L est un paquet sans plomb. L'extrémité du terminal d'avance est de cuivre exposé (non plaqué) en raison du processus de singulation la fabrication. Un filet de soudure l'astuce de cuivre exposée ne peut pas être garanti et n'est pas exigé pour assurer interconnexion latérale inférieure appropriée de soudure

f. États de reprise : la soudure manuelle avec un fer souder n'est pas recommandée pour les composants sans plomb

Image de données :

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