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Microcontrôleur de STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7 IC 480MHz un noyau 32 bits 1MB (1M x 8) 144-LQFP INSTANTANÉ (20x20)
Fiche technique : STM32H743ZGT6
| Catégorie | Microcontrôleurs |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Série | STM32H7 |
| Paquet | Plateau |
| Statut de produit | Actif |
| Capacité de mémoire | un noyau 32 bits |
| Vitesse | 480MHz |
| Nombre d'entrée-sortie | 114 |
| Capacité de la mémoire de programme | 1MB (1M x 8) |
| Type de mémoire de programme | ÉCLAIR |
| RAM Size | 1M x 8 |
| Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd) | 1.62V | 3.6V |
| Convertisseurs de données | A/D 36x16b ; D/A 2x12b |
| Type d'oscillateur | Interne |
| Température de fonctionnement | - 40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet/cas | 144-LQFP |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 144-LQFP (20x20) |
| Nombre bas de produit | STM32H743 |
Souvenirs
•Jusqu' 2 Moctets de mémoire instantanée avec readwhile-écrivent l'appui
• Jusqu' 1 Moctet de RAM : 192 K bytes de TCM RAM (inc. 64 K bytes d'ITCM RAM + 128 K bytes de DTCM RAM pour des routines critiques de temps), jusqu' 864 K bytes d'utilisateur SRAM, et 4 K bytes de SRAM dans le domaine de secours
• Interface double mode de mémoire de Quadruple-SPI courant jusqu' 133 mégahertz
• Contrôleur externe flexible de mémoire avec jusqu' le bus de données 32 bits : SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, mémoire instantanée de NOR/NAND a synchronisé jusqu' 100 mégahertz en mode synchrone
• Unité de calcul de centre de détection et de contrôle
Gestion de remise et de puissance
• 3 domaines distincts de puissance qui peuvent horloge-être indépendamment déclenchés ou commutés :
– D1 : capacités performantes
– D2 : périphériques et minuteries de communication
– D3 : contrôle remis zéro/horloge/gestion de puissance
• approvisionnement d'application de 1,62 3,6 V et I/Os
• POR, PDR, PVD et BOR
• Puissance consacrée d'USB enfonçant un régulateur interne de 3,3 V pour fournir le PHYs interne
• Régulateur incorporé (LDO) avec la sortie extensible configurable pour fournir les circuits numériques
• Graduation de tension en mode de course et d'arrêt (6 gammes configurables)
• Régulateur de secours (~0,9 V)
• Référence de tension pour peripheral/VREF+ analogue
• Modes de basse puissance : Sommeil, arrêt, remplaçant et consommation de basse puissance de soutien de chargement de batterie de VBAT
• Mode opérationnel de batterie de VBAT avec la capacité de remplissage
• État de puissance d'unité centrale de traitement et de domaine surveillant des goupilles
• µA 2,95 dans le mode veille (SRAM de secours, RTC/LSE DESSUS)
Image de données :