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Présentant le FQPF10N65C, un transistor MOSFET puissant de N-canal qui est conçu avec l'efficacité et la fiabilité extrêmes l'esprit. Ce transistor MOSFET performant est construit pour manipuler des applications haute tension, lui faisant le choix final pour vos besoins de puissance. Avec une estimation de la tension de drain-source (VDS) de 650 volts, le FQPF10N65C est conçu pour manipuler des tensions élevées facilement. En plus, son estimation de courant de source de 10 ampères s'assure qu'elle peut n'adapter des hauts niveaux d'actuel sans aucune question.
Le FQPF10N65C revendique une basse sur-résistance (RDSon) de seulement 0,7 ohms, la rendant très efficace et capable de conduire les courants élevés avec la perte de puissance minimum. Ses moyens rapides de vitesse de changement que le transistor MOSFET peut rapidement tourner "Marche/Arrêt", s'assurant qu'il répond rapidement tous les changements du courant électrique. son noyau, le FQPF10N65C est un transistor MOSFET fiable et durable qui est conçu pour répondre des normes rigoureuses de qualité et de représentation. Si vous travaillez aux alimentations d'énergie, aux circuits de commande de moteur, ou n'importe quelles autres applications haute tension, le FQPF10N65C est le transistor MOSFET final pour tous vos besoins de puissance. En résumé, si vous recherchez un transistor MOSFET performant de N-canal qui est conçu pour l'efficacité, la longévité, et la fiabilité, ne regardez pas autre que le FQPF10N65C. C'est le choix final pour tous vos besoins de puissance.
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