FQPF8N60C - Transistor MOSFET de haute performance pour des applications de l'électronique

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FQPF8N60C est un transistor de transistor MOSFET qui a été conçu pour des applications de l'électronique de haute performance. En tant que vendeur expérimenté dans le domaine de l'électronique, nous sommes sûrs en recommandant ce composant aux clients qui cherchent les composants fiables et efficaces de l'électronique. Ce transistor de transistor MOSFET fournit une basse sur-résistance et une capacité de changement rapide qui aide augmenter l'efficacité des systèmes électroniques. Il a une tension de drain-source de 600V et peut manipuler une dissipation de puissance maximum de 176W.

D'ailleurs, il facilite l'utilisation de plus petits radiateurs et simplifie la gestion thermique des conceptions électroniques. Le FQPF8N60C est une solution rentable pour les applications de changement de puissance qui exigent la haute performance et la capacité de changement rapide. Avec sa construction vigoureuse et excellentes caractéristiques électriques, il garantit un fiable et un fonctionnement efficace pour votre système électronique. Investissez dans le FQPF8N60C aujourd'hui et appréciez les avantages d'un transistor performant de transistor MOSFET qui est garanti pour répondre vos besoins de l'électronique.

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Caractéristiques techniques :

• Technologie : SI
• Montage du style : Par le trou
• Paquet/cas : TO-220-3
• Polarité de transistor : N-canal
• Nombre de canaux : La 1 Manche
• Vds - tension claque de Drain-source : 600 V
• Identification - courant continu de drain : 7,5 A
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 1,2 ohms
• Vgs - tension de Porte-source : - 30 V, + 30 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 4 V
• Qg - charge de porte : 28 OR
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Palladium - dissipation de puissance : 48 W
• Mode de la Manche : Amélioration
• Série : FQPF8N60C
• Emballage : Tube
• Marque : onsemi/Fairchild
• Configuration : Simple
• Temps de chute : 64,5 NS

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