STGH20N50FI IGBT Transistor Module MOSFET N Channel Effect

Number modèle:STGH20N50FI
Numéro de la pièce:STGH20N50FI
Type:Transistor MOSFET
Mode:N-canal
Condition:Nouveau
Le stock:En stock
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Shenzhen China
Adresse: Shenzhen, secteur de Futian, plaza du nord de Huaqiang SEG, pièce 3209
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Découvrez le pour - et - le contre d'acheter des transistors de STGH20N50FI

Un guide complet des transistors de STGH20N50FI : Avantages et inconvénients

 

Recherchez-vous les transistors de haute qualité pour vos appareils électroniques ? Si oui, le STGH20N50FI peut être un excellent choix. Ces transistors offrent plusieurs avantages qui les rendent parfaits pour un large éventail d'applications. Cependant, ils ont également quelques inconvénients que vous devriez considérer avant de faire un achat.

 

Commençons par le pour. Un des avantages les plus significatifs des transistors de STGH20N50FI est leur capacité de puissance élevée. Ces transistors peuvent manipuler jusqu' 20 ampères du courant, qui les rend idéaux pour les dispositifs qui exigent beaucoup de puissance. En plus, ils ont une basse sur-résistance de juste 0,15 ohms, les rendant beaucoup plus efficaces que quelques autres types de transistors. Un autre avantage des transistors de STGH20N50FI est leur vitesse de changement élevée. Ils peuvent transition entre les états marche-arrêt en juste quelques nanosecondes, leur faisant une excellente option pour des applications haute fréquence. En plus, ces transistors ont une basse charge de porte, que des moyens ils peuvent être commandé avec moins de puissance. Maintenant, parlons du contre. Un inconvénient potentiel des transistors de STGH20N50FI est leur prix. Ils sont plus chers que quelques autres types de transistors, qui pourraient être un souci si vous travaillez dans un budget.

 

En plus, il peut être plus difficiles les trouver que d'autres genres de transistors, qui pourraient être une question si vous avez besoin de eux rapidement. Un autre du côté incliné des transistors de STGH20N50FI est qu'elles exigent la manipulation soigneuse. Ces transistors sont sensibles la tension et actuels, et l'utilisation inexacte pourrait les endommager ou réduire leur durée de vie. Il est important de suivre les instructions du fabricant soigneusement l'aide des transistors de STGH20N50FI.

 

En conclusion, les transistors de STGH20N50FI offrent plusieurs avantages qui leur font un excellent choix pour beaucoup d'appareils électroniques. Cependant, ils ont également quelques inconvénients que vous devriez considérer en faisant un achat. De façon générale, si vous avez besoin de transistors de haute puissance et ultra-rapides et êtes disposé investir dans leur manipulation soigneuse, les transistors de STGH20N50FI pourraient être un excellent choix pour vos besoins.

 

Détails techniques :

  • Tension de collecteur-émetteur (VCEO) : 500 V
  • Courant de collecteur de C.C : 20 A
  • Tension maximum d'émetteur de porte : 3,2 V
  • Configuration : Simple
  • Dissipation de puissance : 100 W
  • Montage du style : Par le trou
  • Température de fonctionnement minimum : - 55 C°
  • Température de fonctionnement maximum : 150 C°
  • Marque : STMicroelectronics
  • Paquet : TO-247F
China STGH20N50FI IGBT Transistor Module MOSFET N Channel Effect supplier

STGH20N50FI IGBT Transistor Module MOSFET N Channel Effect

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