IRG4PH50UD ISOLÉS DÉCLENCHENT LE TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC LA DIODE MOLLE ULTRA-RAPIDE DE RÉCUPÉRATION

Le pour - et - le contre d'acheter IRG4PH50UD pour vos appareils électroniques

Si vous regardez pour améliorer votre électronique, l'IRG4PH50UD peut être un grand choix. Comme transistor de transistor MOSFET de puissance, il a conçu pour la haute performance et l'efficacité dans une étendue des applications. Voici un certain pour - et - le contre considérer avant que vous achetiez :

Le pour :

- Puissances nominales élevées, avec un Vds maximum de 600V et l'estimation actuelle continue de 49A

- Basse résistance de sur-état et vitesses de changement rapides pour l'efficacité améliorée

- Conception intelligente avec les configurations intégrées comme les diodes antiparallèles et la protection de porte--drain

- Approprié pour l'usage dans une gamme de l'électronique, des commandes de moteur aux alimentations d'énergie

Le contre :

- surchauffe encline sinon a employé correctement, qui peut réduire la représentation et la durée de vie

- Mai exige quelques circuits de soutien supplémentaire ou le refroidissement pour fonctionner aux niveaux optimaux

- Relativement cher comparé d'autres transistors sur le marché

De façon générale, l'IRG4PH50UD est un transistor de haute qualité de transistor MOSFET de puissance qui peut fournir des résultats impressionnants dans vos projets de l'électronique. Juste veiller l'employer selon les directives du fabricant pour les meilleurs résultats.

Détails techniques :

• Montage du style : Par le trou
• Tension maximum d'émetteur de porte : 20 V
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : +150 C
• Paquet : TO-247-3
• Longueur : 15,9 MILLIMÈTRES
• Emballage : 400
• Taille : 20,3 MILLIMÈTRES
• Largeur : 5,3 MILLIMÈTRES
• Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 3,7 V
• Courant de collecteur continu IC maximum : 45 A

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