Module de haute puissance d'IGBT

Amplifiez votre projet de l'électronique avec le FP150R07N3E4_B11

Le FP150R07N3E4_B11 est un module de haute puissance d'IGBT qui est parfait pour amplifier votre projet de l'électronique. Avec un résultat puissant de 150A et de 650V, ce module d'IGBT peut manipuler des applications de haute puissance facilement. Voici une partie du pour - et - le contre du FP150R07N3E4_B11 :

Le pour :

- La puissance de sortie élevée le rend idéal pour des applications exigeantes

- La haute fréquence de changement tient compte de rapide et du fonctionnement efficace

- Aides intégrées de capteur de température empêcher surchauffe

- La conception robuste assure l'opération fiable même dans les environnements durs

Le contre :

- Un coût plus élevé a comparé de plus petits modules d'IGBT

- La taille encombrante peut ne pas être idéale pour des projets compacts en dépit de son coût plus élevé et la taille encombrante, le FP150R07N3E4_B11 offre la représentation imbattable pour des applications de haute puissance. Sa conception robuste et capteur de température intégré lui font un choix fiable pour des projets de l'électronique.

Si vous êtes un enthousiaste de DIY ou un ingénieur électronicien professionnel, le FP150R07N3E4_B11 est un excellent choix pour amplifier votre prochain projet.

Caractéristiques :

• Catégorie de produit : Modules d'IGBT
• RoHS : Détails
• Produit : Modules de silicium d'IGBT
• Configuration : inverseur triphasé
• Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 650 V
• Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,55 V
• Courant de collecteur continu 25 C : 150 A
• Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
• Palladium - dissipation de puissance : 430 W
• Température de fonctionnement minimum : - 40 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Emballage : Plateau
• Marque : Infineon Technologies
• Type de produit : Modules d'IGBT
• Série : Fossé/Fieldstop IGBT4 - E4
• Sous-catégorie : IGBTs
• Nom commercial : EconoPIM PressFIT
• Poids spécifique : 300 g

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