Transistor MOSFET 600 V 47A 417W de la Manche de FCH47N60F 47N60F N par le trou TO-247

Number modèle:FCH47N60F
Point d'origine:Guangdong, Chine
Détails de empaquetage:Carton standard
Quantité d'ordre minimum:10 morceaux
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Shenzhen China
Adresse: Shenzhen, secteur de Futian, plaza du nord de Huaqiang SEG, pièce 3209
dernière connexion fois fournisseur: dans 39 heures
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Transistor MOSFET de haute performance pour des applications discrètes de semi-conducteur

Présentation du SuperFET FCH47N6 de l'onsemi dans un paquet TO-247-3

 

Recherche d'un transistor MOSFET puissant et fiable pour vos besoins discrets de semi-conducteur ? Ne regardez pas autre que le SuperFET FCH47N6 de l'onsemi. Conçu avec la technologie tranchante de transistor MOSFET (oxyde de métal), ce transistor de N-canal livre un drain impressionnant la tension de source de 600 V et un courant continu de drain de 47A 25°C.

 

Avec un RDS maximum dessus juste de 70mOhm et d'une charge maximum de porte seulement de 270 OR 10V, le FCH47N6 fournit l'efficacité exceptionnelle, alors que le grand choix de température de fonctionnement (- 55°C 150°C) assure la longévité en même conditions les plus extrêmes. Ce transistor MOSFET puissant est compatible avec le support d' travers-trou et vient dans un paquet TO-247-3. Ne manquez pas sur la puissance et le sérieux impressionnants du SuperFET FCH47N6 pour des applications discrètes de semi-conducteur.

 

 

Catégorie

Produits semiconducteurs discrets

Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples

Paquet

Tube

Statut de partie

Obsolète

Type de FET

N-canal

Technologie

Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez la tension de source (Vdss)

600 V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C

47A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs

73mOhm @ 23.5A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs

270 OR @ 10 V

Vgs (maximum)

±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds

8000 PF @ 25 V

Caractéristique de FET

-

Dissipation de puissance (maximum)

417W (comité technique)

Température de fonctionnement

-55°C | 150°C (TJ)

Montage du type

Par le trou

Paquet/cas

TO-247-3

Nombre bas de produit

FCH47

China Transistor MOSFET 600 V 47A 417W de la Manche de FCH47N60F 47N60F N par le trou TO-247 supplier

Transistor MOSFET 600 V 47A 417W de la Manche de FCH47N60F 47N60F N par le trou TO-247

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