STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Puissance et efficacité élevées

Numéro de modèle:Le numéro de série est le numéro de série.
Lieu d'origine:Chine
Produit de fabrication:STMicroélectronique
Numéro de la pièce:Le numéro de série est le numéro de série.
Le type:Transistor MOSFET
Polarité:P-canal
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse: Shenzhen, secteur de Futian, plaza du nord de Huaqiang SEG, pièce 3209
dernière connexion fois fournisseur: dans 39 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

MOSFET canal P haute performance STB80PF55T4 pour les applications électriques

Le STMicroelectronics STB80PF55T4 est un MOSFET P-Channel haute performance conçu pour les applications électriques nécessitant une commutation efficace et des capacités de traitement de courant élevé.d'une tension de rupture de 55 V et d'un courant de vidange continu de 80 A, ce MOSFET offre des performances robustes dans des environnements exigeants.minimiser les pertes de puissance et améliorer l'efficacité globale du systèmeLa configuration canal unique le rend adapté diverses applications de commutation de puissance.

55V, 80A, basse tension - Idéal pour les systèmes haute puissance

Avec une plage de tension porte-source de -16V +16V, ce MOSFET offre une flexibilité dans la conduite de l'appareil et permet une intégration facile dans les conceptions de circuits existants.L'opération en mode amélioration assure un comportement de commutation fiable et contrôléCe MOSFET est basé sur la technologie du silicium (Si), connue pour ses excellentes performances et sa fiabilité.offrant une installation pratique et des avantages en matière d'économie d'espaceFonctionnant sur une large plage de températures, de -55°C +175°C, le STB80PF55T4 est adapté aux environnements difficiles et peut résister des conditions de fonctionnement exigeantes.

 

Le MOSFET STB80PF55T4 est conçu pour gérer une dissipation de puissance élevée, avec une dissipation de puissance de 300 W. Cela lui permet de gérer des charges de puissance importantes sans compromettre les performances.Avec un temps de montée de 190 ns et un temps de chute de 80 ns, ce MOSFET assure des caractéristiques de commutation rapides et efficaces, contribuant améliorer les performances du système.le STB80PF55T4 offre un facteur de forme compactSi vous travaillez sur des sources d'alimentation, le contrôle du moteur, ou d'autres applications de haute puissance,le MOSFET STMicroelectronics STB80PF55T4 P-Channel fournit une gestion de puissance élevée, faible résistance et commutation efficace pour vos besoins de conception.

Caractéristiques techniques

CaractéristiqueSpécification
Produit de fabricationSTMicroélectronique
Catégorie de produitsMOSFET
TechnologieJe sais.
Mode de montageDSM/SMT
Emballage / boîtierTO-263-3
Polarité du transistorP-canal
Nombre de chaînes1ère chaîne
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange55 V
Id - Courant de drainage continu80 A
Rds On - Résistance de la source de drainage16 mOhms
Vgs - Tension de la porte de sortie-16 V, +16 V
Température de fonctionnement minimale-55°C
Température de fonctionnement maximale+175°C
Pd - Dissipation de l'énergie300 W
Mode de chaîneAmélioration
SérieLe numéro de série est le numéro de série.
EmballageEnroule, enroule, enroule
ConfigurationUnique
Temps d'automne80 ns
Transconductivité avant - min32 S
Taille4.6 mm
Longueur10.4 mm
Il est temps de se lever.190 ns
China STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Puissance et efficacité élevées supplier

STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Puissance et efficacité élevées

Inquiry Cart 0