CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory Ic 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8
Number modèle:W29N01HVSINA
Point d'origine:original
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Détails du produit
CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory 1Gbit 2.7V 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| SMD/SMT | |
| 1 Gbit | |
| 128 M X 8 | |
| bit 8 | |
| 2,7 V | |
| 3,6 V | |
| 35 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C |
Description
La mémoire de W29N01HV (1G-bit) NAND Flash fournit une solution de stockage pour les systèmes inclus l'espace, les goupilles et la puissance limités. Il est idéal pour le code ombrageant RAM, applications semi-conducteur et stockant des données de médias comme, la voix, la vidéo, le texte et des photos. Le dispositif fonctionne sur un 2.7V simple l'alimentation de l'énergie 3.6V avec la consommation actuelle active comme bas comme 25mA 10uA pour le courant de réserve de CMOS.
Le W29N01HV soutient l'interface standard de mémoire instantanée de non-et utilisant l'autobus 8 bits multiplexé pour transférer des données, des adresses, et des instructions de commande. Les cinq signaux de commande, CLE, BIÈRES ANGLAISES, #CE, #RE et #WE manipulent le protocole d'interface de bus. En outre, le dispositif a deux autres bornes de signal, le #WP (protection contre l'écriture) et le RY/#BY (prêt/occupé) pour surveiller le statut de dispositif.
Goupille TSOP1 (x8) de la tche de Pin 48
Goupille TSOP1 (code S du schéma 3-1 Pin Assignment 48 de paquet)
Caractéristiques
• Caractéristiques de base
– Densité : 1Gbit (solution simple de puce)
– Vcc : 2.7V 3.6V – largeur d'autobus : x8
– Température de fonctionnement
• Industriel : -40°C 85°C
• Technologie niveau unique des cellules (SLC).
• Organisation – densité : 1G-bit/128M-byte
– Taille de la page
• 2 112 octets (2048 + 64 octets)
– Longueur de bloc
• 64 pages (octets 128K + 4K)
Guides marchands
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| Commande |
Paiement
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CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory Ic 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8
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