Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor 800V 27A 0,32 le RDS de transistor MOSFET de la Manche d'IXFK27N80Q N
Number modèle:IXFK27N80Q
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Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor MOSFET 800V 27A 0,32 le RDS de la Manche d'IXFK27N80Q N
Description
Transistors MOSFET Q-CLASS de puissance de HiPerFETTM
Le transistor MOSFET simple meurent
L'avalanche de mode d'amélioration de N-canal a évalué, bas Qg, haut dV/dt, bas trr
Caractéristiques
• IXYS a avancé le bas processus de Qg
• Basse charge et capacités de porte - plus faciles conduire - une commutation plus rapide
• Les forfaits standards internationaux z le bas RDS (dessus) z ont évalué pour la charge inductive unclamped
le changement (UIS) a évalué
• Les époxydes de moulage rencontrent la classification de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
Applications
• Chargeurs de batterie des convertisseurs z de DC-DC
• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode
• Contrôle de moteur courant alternatif des couperets z de C.C
• Contrôles de la température et d'éclairage
- Caractéristiques
Attribut de produit Valeur d'attribut Catégorie de produit : Transistor MOSFET SI Par le trou TO-264-3 N-canal La 1 Manche 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, + 20 V 4,5 V 170 OR - 55 C + 150 C 500 W Amélioration Tube Marque : IXYS Configuration : Simple Temps de chute : 13 NS Transconductance en avant - minute : 20 S Taille : 26,16 millimètres Longueur : 19,96 millimètres Type de produit : Transistor MOSFET - Guide d'achats
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Renvoi | Renvoi |
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