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Convertisseurs d'usage universel de C.C-C.C du transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 le RDS 550W
Description
Le transistor MOSFET simple meurent, avalanche de mode d'amélioration de N-canal évaluée, bas Qg
Des transistors MOSFET de puissance de porte de fossé d'IXYS Gen1 approprié idéalement aux applications forte intensité de basse tension,
exigence d'un R excessivement basDS (DESSUS), permettant la dissipation de puissance faible très. Ceci, combiné avec
la température de jonction de fonctionnement étendue, de -40°C 175°C, leur font les candidats appropriés
pour des applications d'automobile et d'autres applications exigeantes semblables dans les environnements durs.
Caractéristiques
• IXYS a avancé le bas processus de Qg
• Basse charge et capacités de porte - plus faciles conduire - une commutation plus rapide
• Forfaits standards internationaux
• Le bas RDS (dessus)
• Évalué pour la commutation unclamped de charge inductive (UIS) a évalué
• Les époxydes de moulage rencontrent la classification de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
Applications
• Convertisseurs de DC-DC
• Chargeurs de batterie
• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode
• Contrôle de moteur courant alternatif des couperets z de C.C
• Contrôles de la température et d'éclairage
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-247-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 100 V | |
| 200 A | |
| 5,5 mOhms | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| Amélioration | |
| HiPerFET | |
| IXTH200N10 | |
| Tube | |
| Marque : | IXYS |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 34 NS |
| Taille : | 21,46 millimètres |
| Longueur : | 16,26 millimètres |
Guide d'achats
| Expédition | Période de livraison | |
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