Transistor de puissance d'IKW15N120T2 IGBT
Number modèle:IKW15N120T2
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Diode parallèle de BASSE de PERTE de transistors d'IKW15N120T2 IGBT anti commutation dure de DuoPack 1200V 15A
Description
1200 V, 15 Un IGBT discret avec la diode antiparallèle en paquet TO-247
Dur-commutation 1200 V, 15 UN TRENCHSTOP™ IGBT bourré Co avec la diode indépendante dans un TO-247
le paquet apporte l'amélioration significative de la représentation statique aussi bien que dynamique du dispositif, due
la combinaison de la fossé-cellule et du concept de fieldstop. La combinaison d'IGBT avec l'émetteur mol de récupération
la diode commandée réduit au maximum plus loin les pertes d'ouverture. Le rendement le plus élevé est dû atteint au meilleur
compromis entre la commutation et les pertes de conduction.
Le rendement le plus élevé – basse conduction et pertes de
changement
Dossier complet dans 600 V et 1200 V pour la flexibilité de la
conception
Fiabilité élevée de dispositif
Caractéristiques
La plus basse baisse de VCEsat pour des pertes inférieures de
conduction
Basses pertes de changement
Capacité de changement parallèle facile due au coefficient de
température positif dans VCEsat
L'émetteur antiparallèle de récupération très mou et rapide a
commandé la diode
Rugosité élevée, comportement stable de la température
Basses émissions d'IEM
Basse charge de porte
Distribution serrée même de paramètre
Applications
Contrôle et commandes de moteur
Solutions pour les systèmes énergétiques photovoltaïques
Alimentations d'énergie non interruptible (UPS)
- Caractéristiques
Guide d'achatsAttribut de produit Valeur d'attribut Catégorie de produit : Transistors d'IGBT SI TO-247-3 Par le trou Simple 1,2 kilovolts 1,7 V - 20 V, + 20 V 30 A 235 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube Marque : Infineon Technologies Courant de collecteur continu IC maximum : 30 A Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 600 Taille : 20,9 millimètres Longueur : 15,9 millimètres Type de produit : Transistors d'IGBT
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Renvoi | Renvoi |
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