La commutation de puissance élevée des modules CM200DY-12H 200A 1200V de Mitsubishi Igbt emploient le type isolé
Number modèle:CM200DY-12H
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:2 PCs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, MoneyGram, salaire de Google
Capacité d'approvisionnement:2000pcs par bouche
Délai de livraison:5-7jours de travail
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Shenzhen Guangdong China
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
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La commutation de puissance élevée des modules CM200DY-12H 200A
1200V de Mitsubishi Igbt emploient le type isolé
Description :
Des modules de Mitsubishi IGBT sont conçus pour l'usage dans des
applications de changement. Chaque module se compose de deux
IGBTs dans une configuration de moitié-pont avec chaque transistor
ayant une récupération ultra-rapide inverse-reliée
faites roue libre la diode. Tous les composants et relie ensemble
sont isolés dans la plaque de base de descente de la chaleur,
offrant
assemblage du système simplifié et gestion thermique.
Applications
►Contrôle de moteur courant alternatif
►Mouvement/servocommande
►UPS
►Alimentations d'énergie de soudure
Caractéristiques
Capacités absolues, Tj = °C 25 sauf indication contraire
Unités du symbole CM200DY-12H d'estimations
La température de jonction Tj – °C 40 150
Température de stockage Tstg – °C 40 125
Tension de collecteur-émetteur (SHORT de GE) VCES 600 volts
Volts de tension de Porte-émetteur (SHORT de la CE) VGES ±20
Courant de collecteur (comité technique = 25°C) IC 200 ampères
Ampères maximaux du missile aux performances améliorées 400* de
courant de collecteur
Courant d'émetteur ** (comité technique = 25°C) IE 200 ampères
Courant maximal d'émetteur ** ampères d'IEM 400*
Dissipation maximum de collecteur (comité technique = 25°C, PC de £
de Tj 150°C) 780 watts
Montant le couple, M5 terminal principal – 1,47 | N 1,96 · m
Montant le couple, M6 support – 1,96 | 2,94 N · m
Poids – 270 grammes
Tension d'isolement (terminal principal la plaque de base, C.A. 1
mn) Viso 2500 Vrms
Caractéristiques
►Puissance de bas entraînement
►Bas VCE (s'est reposé)
►Récupération ultra-rapide discrète
►Faites roue libre la diode
►opération haute fréquence d'u
►Plaque de base d'isolement pour facile
►Descente de la chaleur
Guides marchands
| Expédition | Période de livraison | |
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Renvoi | Renvoi |
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| Garantie |
Tous les achats de Retechip viennent avec un jour 30 de retour la politique de retour, cette garantie ne s'appliquera aucun article d'où des défauts ont été provoqués par l'assemblée inexacte de client, manque par le client de suivre des instructions, produit opération de modification, négligente ou inexacte
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