Transistor de puissance élevée de MOhms de la Manche 56 des transistors 59A 300V N de FDA59N30 NPN PNP
Number modèle:FDA59N30
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Transistor de puissance élevée de MOhms du N-canal 56 du transistor de puissance de FDA59N30 Pnp 59A 300V
Description
Ces transistors effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchilds de propriété industrielle, planaire
rayure, technologie de DMOS. Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournissent
représentation de changement supérieure, et résister l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ceux-ci
les dispositifs sont bien adaptés pour les alimentations d'énergie commutées efficaces élevées de mode et la compensation de phase active.
Caractéristiques
RDS (dessus)= 56mΩ (maximum) @ VGS= 10V, ID= 29.5A
Basse charge de porte (type. 77nC)
Bas Crss(Type. 80pF)
l'avalanche 100% a examiné
Applications
PDP TV
ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'AC-DC
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-3PN-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 300 V | |
| 59 A | |
| 56 mOhms | |
| - 30 V, + 30 V | |
| 3 V | |
| 100 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 500 W | |
| Amélioration | |
| Tube | |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 200 NS |
| Taille : | 20,1 millimètres |
| Longueur : | 16,2 millimètres |
| Temps de montée : | 575 NS |
Guide marchand
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| Commande |
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Transistor de puissance élevée de MOhms de la Manche 56 des transistors 59A 300V N de FDA59N30 NPN PNP
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