Transistor de puissance sans plomb de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Number modèle:IRFP90N20DPBF
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Transistor de transistor MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Applications

• Convertisseurs haute fréquence de DC-DC

• Sans plomb

Description

                                                                                                         

La famille de transistor MOSFET d'IR des transistors MOSFET de puissance utilise des processus montrés de silicium offrant des concepteurs un dossier large de

dispositifs pour soutenir de diverses applications telles que des moteurs de C.C, des inverseurs, SMPS, éclairage, des commutateurs de charge aussi bien que batterie

applications actionnées. Les dispositifs sont disponibles en un grand choix de paquets extérieurs de bti et d' travers-trou avec l'industrie

empreintes de pas standard pour la facilité de la conception.

Caractéristiques

                                                                                                              

• Basse charge de Porte--drain pour réduire commuter des pertes

• Capacité entièrement caractérisée comprenant COSS efficace pour simplifier la conception, (voir l'appli. Note AN1001)

• Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

Caractéristiques

                                                                                                       
Attribut de produitValeur d'attribut
Infineon
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
SI
Par le trou
TO-247-3
N-canal
La 1 Manche
200 V
94 A
23 mOhms
- 30 V, + 30 V
1,8 V
180 OR
- 55 C
+ 175 C
580 W
Tube
Configuration :Simple
Temps de chute :79 NS
Transconductance en avant - minute :39 S
Taille :20,7 millimètres
Longueur :15,87 millimètres
Temps de montée :160 NS

Guide marchand

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Transistor de puissance sans plomb de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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