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Transistor MOSFET de la Manche des transistors de puissance de Npn de silicium d'Infineon IRFS4227TRLPBF 200V 62A 26mOhm 70nC Qg N
Applications
• Étapes dur de changement de PWM et étapes de changement résonnantes
• Adaptateur, LCD&PDP TV, éclairage
Description
Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® est spécifiquement conçu pour des applications de commutateur Sustain, de récupération de l'énergie et de passage dans des panneaux d'écran plasma. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium et la basse estimation d'EPULSE. Caractéristiques supplémentaires de la ces température de jonction fonctionnante de MOSFETare 175°C et capacité répétitive élevée de courant de pointe. Ces caractéristiques combinent pour faire ce transistor MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour le PDP conduisant des applications
Caractéristiques
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
SI | |
SMD/SMT | |
D2PAK-3 | |
N-canal | |
La 1 Manche | |
200 V | |
62 A | |
26 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
5 V | |
70 OR | |
- 40 C | |
+ 175 C | |
330 W | |
Bobine | |
Configuration : | Simple |
Temps de chute : | 31 NS |
Transconductance en avant - minute : | 49 S |
Taille : | 2,3 millimètres |
Longueur : | 6,5 millimètres |
Type de produit : | Transistor MOSFET |
Temps de montée : | 20 NS |
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