Transistor MOSFET de la Manche des transistors 200V 62A 70nC Qg N d'IRFS4227TRLPBF NPN PNP

Number modèle:IRFS4227TRLPBF
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Transistor MOSFET de la Manche des transistors de puissance de Npn de silicium d'Infineon IRFS4227TRLPBF 200V 62A 26mOhm 70nC Qg N

Applications

• Étapes dur de changement de PWM et étapes de changement résonnantes

• Adaptateur, LCD&PDP TV, éclairage

Description

Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® est spécifiquement conçu pour des applications de commutateur Sustain, de récupération de l'énergie et de passage dans des panneaux d'écran plasma. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium et la basse estimation d'EPULSE. Caractéristiques supplémentaires de la ces température de jonction fonctionnante de MOSFETare 175°C et capacité répétitive élevée de courant de pointe. Ces caractéristiques combinent pour faire ce transistor MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour le PDP conduisant des applications

   

                                                         

 

Caractéristiques

                                                                                                              
Technologie transformatrice avancée
• Les paramètres principaux optimisés pour le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage
• La basse estimation d'EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage
• Bas QG pour la réponse rapide
• Capacité répétitive élevée de courant de pointe pour l'opération fiable
• Temps de montée de moins-value et pour la commutation rapide
• la température de jonction 175°C fonctionnante pour la rugosité améliorée
• Capacité répétitive d'avalanche pour la robustesse et la fiabilité

Caractéristiques

Attribut de produitValeur d'attribut
SI
SMD/SMT
D2PAK-3
N-canal
La 1 Manche
200 V
62 A
26 mOhms
- 30 V, + 30 V
5 V
70 OR
- 40 C
+ 175 C
330 W
Bobine
Configuration :Simple
Temps de chute :31 NS
Transconductance en avant - minute :49 S
Taille :2,3 millimètres
Longueur :6,5 millimètres
Type de produit :Transistor MOSFET
Temps de montée :20 NS

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