MOS de N-canal de silicium des transistors 38.8A 600V 50W de la commutation NPN PNP de puissance de TK39A60W
Number modèle:TK39A60W, S4VX
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MOS de N-canal de silicium du transistor de commutation de puissance de TOSHIBA TK39A60W 38.8A 600V 50W 4100pF
Applications
Régulateurs de tension de changement
Description
Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV employer le processus épitaxial simple de pointe, qui fournit une réduction de 30% dedans
RDS (dessus), un facteur de mérite (FOM) pour des transistors MOSFET, comparé son prédécesseur, DTMOSIII. Cette réduction de
RDS (dessus)permet pour loger R inférieurDS (dessus)puces dans les mêmes paquets. Ceci aide améliorer l'efficacité
et réduisez la taille des alimentations d'énergie. Les transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV sont idéaux pour l'usage avec des régulateurs de commutation.
Caractéristiques
1) Basse sur-résistance de drain-source : Le RDS (DESSUS) = 0,055 Ω
(type.) par utilisés la structure superbe de jonction : DTMOS
(2) facile de commander la commutation de porte
(3) mode d'amélioration : Vth = 2,7 3,7 V (VDS = 10 V,
identifications = 1,9 mA)
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-220FP-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 600 V | |
| 38,8 A | |
| 55 mOhms | |
| - 30 V, + 30 V | |
| 3,7 V | |
| 110 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 50 W | |
| Amélioration | |
| DTMOSIV | |
| TK39A60W | |
| Tube | |
| Marque : | Toshiba |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 9 NS |
| Taille : | 15 millimètres |
| Longueur : | 10 millimètres |
| Temps de montée : | 50 NS |
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| Commande |
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MOS de N-canal de silicium des transistors 38.8A 600V 50W de la commutation NPN PNP de puissance de TK39A60W
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